+86 755-83044319

Produkte

/
/
/
/
S8550 PNP-Bipolartransistor SOT-23 S8550 PNP-Bipolartransistor SOT-23 S8550 PNP-Bipolartransistor SOT-23
S8550 PNP-Bipolartransistor SOT-23
VCEO & Founder(V): -25 V
IC(A): -0.5 A
PD(W): 0.3W
VCE(gesat.)(V): -0.6 V
fT(MHz): 150 MHz
Paket: SOT-23

Produktdetails

Unsere Vorteile:

Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus. 

Beschreibung:
Der S8550 ist ein hochleistungsfähiger PNP-Bipolarkontakt Transistor (BJT) für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen. Dieser im kompakten SOT-23-Gehäuse gekapselte Transistor bietet effizienten Betrieb und Vielseitigkeit in einer Vielzahl elektronischer Schaltkreise.

Merkmale:

● Nennspannung: Unterstützt eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von -25 V, geeignet für Schaltkreise, die einen Betrieb mit negativer Spannung erfordern.
● Stromhandhabung: Kann bis zu 500 mA Kollektorstrom (Ic) handhaben und ist daher ideal für Schaltaufgaben mit mittlerem Strom.
● Verlustleistung: Eine Verlustleistung (Pd) von 0.3 W gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter typischen Lastbedingungen.
● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) von -0.6 V bei 100 mA Kollektorstrom und 10 mA Basisstrom, wodurch der Leistungsverlust während Schaltvorgängen minimiert wird.
● Hoher Frequenzgang: Eine Übergangsfrequenz (fT) von 150 MHz ermöglicht einen zuverlässigen Hochfrequenzbetrieb in verschiedenen Signalverarbeitungsanwendungen.
● Kompaktes Gehäuse: Untergebracht im SOT-23-Gehäuse, das einen geringen Platzbedarf und eine einfache Integration auf Leiterplatten (PCBs) bietet.
● Großer Betriebstemperaturbereich: Kann in Umgebungen von -55 °C bis +150 °C betrieben werden, geeignet für Anwendungen in der Industrie, im Automobilbereich und in der Unterhaltungselektronik.


Anwendungen:
Der Transistor S8550 eignet sich für eine breite Palette elektronischer Anwendungen, darunter:

● Schaltkreise: Werden in Energiemanagementschaltungen, Relaistreibern und anderen Anwendungen verwendet, die ein effizientes Schalten mittlerer Ströme erfordern.
● Signalverstärkung: Ideal für den Einsatz in Audioverstärkern, Signalaufbereitungsschaltungen und anderen Anwendungen, die eine zuverlässige Kleinsignalverstärkung erfordern.
● Spannungsregelung: Integriert in Spannungsregler und DC-DC-Wandler für ein effizientes Energiemanagement in tragbaren elektronischen Geräten.
● Hochfrequenzanwendungen (RF): Wird in HF-Verstärkern, Oszillatoren und Modulatoren verwendet, bei denen die Hochfrequenzleistung entscheidend ist.
● Automobilelektronik: Wird aufgrund der robusten Leistung und kompakten Größe in Automobil-Steuersystemen, Sensorschnittstellen und Beleuchtungssteuerschaltungen eingesetzt.



S8550_00.jpg

Nachrichtenempfehlung

Service-Hotline

+86 0755-83044319

Hall-Effekt-Sensor

Holen Sie sich Produktinformationen

WeChat

WeChat