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Schnelle Erholungsdiode
Die interne Struktur einer Fast-Recovery-Diode unterscheidet sich von der gewöhnlichen PN-Übergangsdiode, die zur PIN-Übergangsdiode gehört, d. h. der Basisbereich I wird in der Mitte des Siliziummaterials vom P-Typ und des Siliziummaterials vom N-Typ hinzugefügt, um den PIN zu bilden Siliziumwafer. Da der Basisbereich sehr dünn ist, ist die Sperrverzögerungsladung sehr gering, sodass die Sperrverzögerungszeit der schnellen Wiederherstellungsdiode kürzer, der Spannungsabfall in Durchlassrichtung geringer und die Durchbruchspannung in Sperrrichtung (Wert der Stehspannung) höher ist.

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