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SiC-Schottky-Diode
Mit der Hochfrequenz-Schottky-Barriere-Diodenstruktur erreicht die SiC-SBD eine Hochspannung von mehr als 600 V, während die maximale Spannungsfestigkeit der Silizium-SBD nur etwa 200 V beträgt und ihr Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand viel geringer ist als der der Silizium-Schnellerholungsdiode. Die Wiederherstellungszeit beim Herunterfahren ist kürzer, daher sind die Abschaltverluste geringer, was zu geringeren elektromagnetischen Störungen (EMI) führt. Durch den Einsatz von SiC-SBD als Ersatz für das Mainstream-Produkt Silizium-Fast-Recovery-Diode FRD kann der Gesamtverlust erheblich reduziert, die Effizienz der Stromversorgung verbessert und durch den Hochfrequenzbetrieb die Miniaturisierung passiver Komponenten wie Induktivitäten und Kondensatoren erreicht werden und elektromagnetische Störungen (EMI) sind geringer. Siliziumkarbid SBD kann in großem Umfang in Klimaanlagen, Netzteilen, Wechselrichtern in Photovoltaik-Stromerzeugungssystemen, Motorschleppsystemen für Elektrofahrzeuge und Schnellladegeräten eingesetzt werden.

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