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SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F

Typ:N-Kanal

Vdss: 650V

Id:10A

Pd: 41.8 W

RDS (ein)@Vgs,Id:940 mΩ bei 10 V, 5 A

Vgs(th)@Id:4.5 V bei 250 A


Produktdetails

N-Kanal-Leistung MOSFET

Merkmale:

● 10.0 A, 650 V, RDS(ON)(Typ)=0.80Ω@VGS= 10 V

● Niedrige Gate-Ladung

● Niedriges Crss

● 100 % Lawinentest

● Schnelles Umschalten

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Anwendung:

● Hochfrequenz-Schaltnetzteil

● Wirkleistungsfaktorkorrektur

SL10N65F_00.jpg

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