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SL4N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F SL4N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F SL4N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
SL4N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F

Typ:N-Kanal

Vdss: 650V

Id:4A

Pd: 23.3 W

RDS (ein)@Vgs,Id:2.6 Ω bei 10 V, 2 A

Vgs(th)@Id:4.5 V bei 250 A

Produktdetails

N-Kanal-Leistung MOSFET

Merkmale:

● 4.0 A, 650 V, RDS (EIN)(Typ)=2.2Ω@VGS= 10 V

● Niedrige Gate-Ladung

● Niedrig Crss

● 100 % Lawinentest

● Schnelles Umschalten

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Anwendung:

● Hochfrequenz-Schaltnetzteil

● Aktive Leistungsfaktorkorrektur

SL4N65F_00.jpg

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Hall-Effekt-Sensor

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