Service-Hotline
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Typ:N-Kanal
Vdss: 650V
Id:7A
Pd: 27.9 W
RDS (ein)@Vgs,Id:1.4 Ω bei 10 V, 3.5 A
Vgs(th)@Id:4.5 V bei 250 μA
N-Kanal-Leistung MOSFET
Merkmale:
● 7.0 A, 650 V, RDS(ON)(Typ)=1.2Ω@VGS= 10 V
● Niedrige Gate-Ladung
● Niedriges Crss
● 100 % Lawinentest
● Schnelles Umschalten
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
Anwendung:
● Hochfrequenz-Schaltnetzteil
● Wirkleistungsfaktorkorrektur
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