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Beschreibung:
Der SL40T65FL ist ein Hochleistungs-Bipolartransmitter mit isolierter Gate-Elektrode. Transistor (IGBT) wurde entwickelt, um robuste Leistungshandhabungsfähigkeiten in verschiedenen industriellen Anwendungen zu bieten. Mit einer Nennspannung von 650 V und einem maximalen Kollektorstrom von 40 A bei einer Sperrschichttemperatur von 100 °C ist dies IGBT ist für einen effizienten und zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen ausgelegt. Es ist in einem TO-247-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Installation und Wärmeregulierung gewährleistet.
Eigenschaften
● Schnelles Schalten und geringer Leistungsverlust
● VCE(gesat.) = 1.95 V bei IC = 40A
● EWOW! = 0.35 mJ bei TC = 25 ° C.
● Hohe Eingangsimpedanz
● trr = 80 ns (typ.) @diF/dt = 1000 A/µs
● Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
Anwendungen
● PFC
● USV
● PV-Wechselrichter
● Schweißer
● IH-Herd
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