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SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3 SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3 SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3
SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3

Typ: P-Kanal

Vdss: 60 V

ID: 1.6 A

Pd: 1.5 W

RDS(on)@Vgs,Id:140mΩ@10V,1.5A

Vgs(th)@Id: 2V@250uA

Qg@Vgs: 11.3nC@10V

Ciss@Vds: 444.2pF@30V

Crss@Vds: 17.9 pF bei 30 V

Arbeitstemperatur: -55℃~+150℃@(Tj)

Produktdetails

Allgemeine Merkmale

● VDS = -60 V, ID = -1.6 A RDS (EIN) <160 mΩ bei VGS = -10 V RDS (EIN) <200 mΩ bei VGS = -4.5 V  
● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson  
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

Anwendung
● Lastschalter  
● PWM-Anwendung

SL2309_00.jpg

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Hall-Effekt-Sensor

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