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Hochfrequenztriode

Veröffentlichungszeit: 2022Quelle des Autors: SlkorDurchsuchen:2450

Hochfrequenztrioden werden im Allgemeinen in rauscharmen Hochfrequenz-Breitbandverstärkern wie VHF, UHF, CATV, drahtlosen Fernbedienungen und Hochfrequenzmodulen verwendet. Die meisten dieser Anwendungen werden bei Niederspannung, Kleinsignal, Kleinstrom und geringem Rauschen eingesetzt. Watt, Kollektorstrom bis 500 mA.


Seine Auswahlgrundsätze im Nutzungsprozess lauten wie folgt:


(1) Wenn die Umgebungstemperatur der Triode höher als 30 °C ist, sollte die Verlustleistung Pcm um 60–80 % verringert werden.


(2) Die Triode sollte so weit wie möglich vom Heizelement entfernt gehalten werden, um sicherzustellen, dass die Triode stabil und normal arbeiten kann.


(3) Unter den Parametern der Triode gibt es einige Parameter, die leicht von der Temperatur beeinflusst werden, wie z. B. Iceo-, Ubeo- und β-Werte. Dabei ändern sich Iceo und Ubeo mit der Temperatur wie folgt:


①Bei jedem Temperaturanstieg um 6℃ verdoppelt sich die Eisstärke des Silikonschlauchs;


②Jedes Mal, wenn die Temperatur um 10℃ ansteigt, verdoppelt sich das Eis der Germaniumröhre;


③Die Schwankung des Silikonrohr-Ubeo mit der Temperatur beträgt etwa 1 mV/℃.


(4) Bei Verwendung bei Niederspannungen von 3 V und 5 V sollte die Durchbruchspannung nicht zu groß sein. Wenn die Durchbruchspannung zu groß ist (höher als 15 V), ist die Linearität bei niedriger Spannung nicht gut, beeinträchtigt jedoch die Verwendung.


(5) Wenn das Eingangssignal schwach ist, wird empfohlen, den 2SC3356 mit einer kleineren Einfügungsverstärkung im Primärverstärker und den BFQ591 oder 2SC3357 mit einer größeren Verstärkung für den Sekundärverstärker zu verwenden.


(6) Die charakteristische Frequenz fT der ausgewählten Hochfrequenztriode sollte das Sechs- bis Achtfache (mindestens das Dreifache oder mehr) der tatsächlichen Nutzungsfrequenz betragen, um das Einfügungsrauschen zu reduzieren und die Verstärkung während des Gebrauchs zu erhöhen.


(7) Bei Trioden, die in Hochfrequenz- oder Mikrowellenschaltungen verwendet werden, sollten die Anschlussdrähte so kurz wie möglich sein, um parasitäre Effekte zu reduzieren, und es ist am besten, oberflächenmontierte Gehäuse zu verwenden.


(9) Um den Sekundärdurchbruch des Leistungstransistors zu verhindern, sollte die Belastung mit übermäßigen Reaktanzkomponenten so weit wie möglich vermieden werden.


(10) Unter der Voraussetzung, dass die für die gesamte Maschine erforderlichen Verstärkungsparameter erfüllt werden können, wird ein Transistor mit geeigneter Einfügungsverstärkung und DC-Verstärkungsfaktor hfe ausgewählt, um eine Selbsterregung zu verhindern. Im Allgemeinen erfordert die primäre Verstärkung eine kleine Einfügungsverstärkung und ihr DC-Verstärkungsfaktor hfe sollte größer gewählt werden, und die sekundäre Verstärkung erfordert eine größere Einfügungsverstärkung und ihr DC-Verstärkungsfaktor hfe sollte nicht zu groß sein.


(11) Wenn die Hochfrequenztriode an den Stromkreis angeschlossen wird, sollte zuerst die Basis angeschlossen werden. Öffnen Sie den Basisstromkreis nicht, solange Kollektor und Emitter unter Spannung stehen.


(12) Es gibt viele Arten von Hochfrequenztrioden. Daher sollte der Triodentyp entsprechend den Anforderungen der jeweiligen Schaltung bestimmt und dann entsprechend den Hauptparametern der Triode ausgewählt werden.



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